삼성전자, HBM4E 12단 샘플 글로벌 고객사에 출하

HBM4E 12단 샘플 공급 시작

삼성전자는 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 제품인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다.

회사에 따르면 이번 공급은 지난 2월 HBM4 양산 출하 이후 진행된 것으로, 향후 고객 일정에 맞춰 양산 공급을 추진할 예정이다.

최대 16Gbps 속도 지원

삼성전자는 HBM4E가 설계 및 공정 최적화를 통해 핀당 14Gbps에서 최대 16Gbps의 동작 속도를 지원한다고 설명했다.

또한 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공한다고 밝혔다.

용량은 48GB이며, 회사는 향후 32GB(8단), 64GB(16단) 제품으로 라인업을 확대할 계획이라고 밝혔다.

1c D램과 4나노 로직 다이 적용

HBM4E에는 1c(10나노급 6세대) D램과 삼성전자 자체 Foundry 4나노 로직 다이가 적용됐다.

삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 설명했다.

HBM4 양산 공급도 확대

삼성전자는 HBM4E 샘플 공급과 함께 HBM4 양산 공급도 확대하고 있다고 밝혔다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수했다”며 “앞으로도 생산 인프라 투자와 기술 개발을 이어갈 것”이라고 말했다.

회사에 따르면 지난해 12월 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 기록했다.